• G.T.O用缓冲保护电容器
  • G.T.O用缓冲保护电容器
  • G.T.O用缓冲保护电容器

G.T.O用缓冲保护电容器

  • Серии: CBB20
  • Рабочий диапазон напряжения: 800~2000Vdc
  • Емкостной Диапазон: 0.33uF~6uF
  • Рабочая температура: -40~+85/105℃
  • Загрузить Жизнь: -
  • Заявка: Protection of thyristors. Protection of gate turn-off thyristor (G.T.O.). Clamping (Secondary snubber)

Руководство Загрузка продукта (PDF-файл)   

Отправить по электронной почте к нам!

■ Введение продукта

G.T.O 用缓冲保护/箝位电容器
应用
适用于G.T.O以及可控硅等开关器件的箝位和缓冲保护

产品描述:
干式全固态结构;
具有低的 ESR、ESL 和高的 dv/dt 特性;
可承受很大的峰-峰值电流 Ipp 和高频有效值电流 Irms;

工艺特点
金属化聚丙烯薄膜无感式卷绕;
特殊的金属化镀层结构,可以有效的提高dv/dt 特性并消除交流电离;
额定电压: 800VDC, 1000VDC, 1300VDC, 2000VDC.
额定容量 0.33uF, 0.5uF, 1uF, 1.5uF, 2uF, 2.5uF, 3uF, 3.5uF, 4uF, 4.5uF, 5uF, 5.5uF, 6uF, 6.5uF

поиск

Обратная связь

E-mail
Контактное лицо
телефон
название компании
адрес

сообщение