• IGBT用突波缓冲吸收电容器方壳

IGBT用突波缓冲吸收电容器方壳

  • Series: CBB20B
  • Working Voltage Range: 700~2500Vdc
  • Capacitance Range: 0.1uF~5.6uF
  • Working Temperature: -40~+85/105℃
  • Load Life: -
  • Application: Used in applications of snubber protection of various IGBT

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■ 产品描述

IGBT用突波缓冲吸收轴向电容器

应用
适用于IGBT 缓冲吸收保护.

产品描述:
执行标准 BG/T 17702.1 idt IEC 61071-1, GB/T 2693 idt IEC 60384-1;
双面金属化极板,聚丙烯介质无感式卷绕;
具有立式和卧式两种安装形式,引出端子直接连接于IGBT模块,最大限度减小回路电感量;
具有低的ESR和高的dv/dt 特性;
可承受很大的峰-峰值电流Ipp和高频有效值电流 Irms;
可提供满足各类 IGBT 系列化产品。

工艺特点
采用双面金属化膜做电极,以提高 dv/dt 特性;
可提供内置快恢复管的模块化器件。
额定电压: 800VDC, 1000VDC, 1300VDC, 2000VDC.
额定容量 0.33uF, 0.5uF, 1uF, 1.5uF, 2uF, 2.5uF, 3uF, 3.5uF, 4uF, 4.5uF, 5uF, 5.5uF, 6uF, 6.5uF

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