• IGBT用突波缓冲吸收轴向电容器

IGBT用突波缓冲吸收轴向电容器

  • Series: CBB20
  • Working Voltage Range: 850~2500Vdc
  • Capacitance Range: 0.01uF~4.7uF
  • Working Temperature: -40~+85/105℃
  • Load Life: 100000hours
  • Application: Suitable for applications in snubber for IGBT.

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■ 产品描述

IGBT用突波缓冲吸收轴向电容器

应用
适用于IGBT 缓冲吸收保护.

产品描述:
执行标准 BG/T 17702.1 idt IEC 61071-1, GB/T 2693 idt IEC 60384-1;
双面金属化薄膜,聚丙烯介质无感式卷绕;
具有轴向引出端子,方便电路连接;
具有低的ESR和高的dv/dt 特性;
可承受很大的峰-峰值电流Ipp和高频有效值电流 Irms;
可根据客户要求,提供镀锡铜线、铜焊片等多种引出形式。

工艺特点
采用双面金属化膜做电极,以提高 dv/dt特 性;
聚酯胶带包裹,两端阻燃环氧树脂封装
额定电压: 800VDC, 1000VDC, 1300VDC, 2000VDC.
额定容量 0.33uF, 0.5uF, 1uF, 1.5uF, 2uF, 2.5uF, 3uF, 3.5uF, 4uF, 4.5uF, 5uF, 5.5uF, 6uF, 6.5uF

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